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2026復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院盧紅亮教授團隊招聘博士后公告

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院盧紅亮教授團隊依托集成電路科學(xué)與工程一級學(xué)科博士后流動站,擁有的科研平臺、深厚的學(xué)科積淀及完善的人才培養(yǎng)體系,聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域前沿技術(shù)攻關(guān)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。為推動相關(guān)領(lǐng)域科研工作深入開展,現(xiàn)面向國內(nèi)外公開招聘半導(dǎo)體真空機械裝備、大面積金剛石散熱、先進三維封裝方向博士后2-3名,誠邀海內(nèi)外青年學(xué)者加入,攜手開展高水平科研創(chuàng)新。

一、招聘方向及研究內(nèi)容

1. 半導(dǎo)體真空機械裝備

核心圍繞半導(dǎo)體真空機械裝備的研發(fā)與優(yōu)化,重點開展真空CVD和ALD系統(tǒng)設(shè)計、精密機械結(jié)構(gòu)研發(fā)、真空密封與測控技術(shù)研究,探索裝備與半導(dǎo)體工藝的適配性優(yōu)化,解決裝備小型化、高精度、高穩(wěn)定性等關(guān)鍵技術(shù)難題,支撐半導(dǎo)體制造工藝的高效落地,助力半導(dǎo)體裝備自主可控發(fā)展。

2. 大面積金剛石散熱技術(shù)

聚焦大面積、高質(zhì)量金剛石薄膜的制備與散熱應(yīng)用,重點研究化學(xué)氣相沉積(MPCVD/HFCVD)等制備工藝優(yōu)化,探索金剛石與半導(dǎo)體器件的異質(zhì)集成技術(shù),開展金剛石散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計、熱阻調(diào)控及散熱性能測試,破解高熱流密度半導(dǎo)體器件的散熱瓶頸,推動金剛石散熱技術(shù)在功率器件、高端芯片中的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

3. 先進三維封裝技術(shù)

圍繞先進三維集成與封裝技術(shù),重點開展2.5D/3D芯粒集成(Chiplet)、封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計、鍵合工藝優(yōu)化、界面調(diào)控及可靠性測試等研究,探索封裝熱管理與信號完整性優(yōu)化方案,推動先進三維封裝技術(shù)與CMOS工藝的兼容集成,支撐高密度、高性能集成電路的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

二、招聘條件

1. 已獲得或即將獲得博士學(xué)位,年齡不超過35周歲,身心健康,能吃苦,確實想學(xué)習(xí)真本領(lǐng),能全職投入博士后研究工作;

2. 具有與招聘方向相關(guān)的專業(yè)背景(機械工程、化學(xué)工程、過程控制、能源動力、材料科學(xué)與工程、微電子學(xué)等),具備扎實的專業(yè)基礎(chǔ)知識和相關(guān)研究經(jīng)驗;

3. 具備較強的科研創(chuàng)新能力和獨立開展科研工作的能力,熱愛半導(dǎo)體,愿意到半導(dǎo)體、集成電路這個高收益和高成長賽道進行跨學(xué)科發(fā)展;

4. 掌握相關(guān)研究方向的核心實驗技術(shù)或理論計算方法,熟悉各類表征、測試設(shè)備者及AI應(yīng)用工具者優(yōu)先;

5. 具有良好的科研誠信、團隊協(xié)作精神和溝通能力,動手能力強,熱愛科研事業(yè),具備嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)態(tài)度。

三、崗位待遇

1. 薪酬待遇:提供具有競爭力的薪酬,基礎(chǔ)年薪不低于18萬元,可申請復(fù)旦大學(xué)“博士后”(年薪23-50萬元)、上海市“博士后”(年薪30萬元以上)、國家博士后創(chuàng)新人才支持計劃(年薪48萬元以上)等資助,疊加后待遇優(yōu)厚;

2. 科研:提供充足的科研經(jīng)費和的實驗平臺,支持參與、省部級科研項目,協(xié)助申請國家自然科學(xué)基金等各類科研項目;

3. 福利:按復(fù)旦大學(xué)規(guī)定繳納五險一金,提供博士后公寓(或住房補貼),協(xié)助辦理上海市戶口、子女入托入學(xué)等事宜,享受學(xué)校教職工同等福利;

4. 發(fā)展機會:表現(xiàn)者可優(yōu)先推薦申報學(xué)校教研序列崗位,提供學(xué)術(shù)交流、出國訪問等機會,助力個人科研能力與職業(yè)發(fā)展。

四、申請材料

1. 個人簡歷(含教育經(jīng)歷、工作經(jīng)歷、研究成果、論文清單、獲獎情況等);

2. 博士學(xué)位證書(即將畢業(yè)者提供博士論文答辯決議書或相關(guān)證明);

3. 代表性研究成果(論文全文、專利、科研項目參與證明等);

4. 研究計劃(簡要闡述未來博士后期間的研究思路與預(yù)期成果,1000字左右);

5. 2名同行專家推薦信(需注明推薦人聯(lián)系方式)。

五、應(yīng)聘地址和方式

1. 請將上述申請材料整合為一個PDF文件,郵件主題注明“博士后應(yīng)聘+招聘方向+姓名+畢業(yè)院校”,發(fā)送至招聘郵箱;

2. 地址:上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院

3. 團隊網(wǎng)址:www.fudansensor.com

4. 招聘郵箱: honglianglu@fudan.edu.cn ;

5. 截止日期:長期有效,招滿即止。

原標(biāo)題:復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院盧紅亮教授團隊招聘博士后

文章來源:http://www.hr.fudan.edu.cn/dd/fc/c15369a777724/page.htm

(責(zé)任編輯:李明)

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